ivdon3@bk.ru
Разработана математическая модель распределения потенциала в приповерхностной области полупроводника при наличии в его запрещенной зоне глубоких энергетических уровней, обусловленных многозарядными примесными центрами. Результаты моделирования могут быть использованы для оценки ширины области пространственного заряда, прогнозирования наиболее вероятного механизма переноса носителей заряда в структуре металл-полупроводник с многозарядными глубокими энергетическими уровнями, а также величины барьерной емкости, что может найти применение при разработке приборов твердотельной электроники с улучшенными значениями отдельных параметров.
Ключевые слова: уравнение Пуассона, многозарядный примесный центр, распределение потенциала, глубокие энергетические уровни
В работе выполнен теоретический анализ конструктивно-технологических ограничений в структуре лавинного фотодиода для режима счета фотонов. Показано, что критическими параметрами являются сопротивление нагрузки и постоянная времени перезарядки внутренней емкости фотодиода. Для снижения этой постоянной времени требуется ограничение размеров отдельной секции фотодиода и объединение нескольких таких секций на кристалле вместе со схемами регистрации.
Ключевые слова: Лавинный фотодиод, режим счета фотонов, конструктивно-технологические ограничения, модель лавинного пробоя.
Ключевые слова:
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
Сведения об авторах выпуска №2 за 2012 год
Ключевые слова: авторы