ivdon3@bk.ru
Разработана математическая модель распределения потенциала в приповерхностной области полупроводника при наличии в его запрещенной зоне глубоких энергетических уровней, обусловленных многозарядными примесными центрами. Результаты моделирования могут быть использованы для оценки ширины области пространственного заряда, прогнозирования наиболее вероятного механизма переноса носителей заряда в структуре металл-полупроводник с многозарядными глубокими энергетическими уровнями, а также величины барьерной емкости, что может найти применение при разработке приборов твердотельной электроники с улучшенными значениями отдельных параметров.
Ключевые слова: уравнение Пуассона, многозарядный примесный центр, распределение потенциала, глубокие энергетические уровни
В работе выполнен теоретический анализ конструктивно-технологических ограничений в структуре лавинного фотодиода для режима счета фотонов. Показано, что критическими параметрами являются сопротивление нагрузки и постоянная времени перезарядки внутренней емкости фотодиода. Для снижения этой постоянной времени требуется ограничение размеров отдельной секции фотодиода и объединение нескольких таких секций на кристалле вместе со схемами регистрации.
Ключевые слова: Лавинный фотодиод, режим счета фотонов, конструктивно-технологические ограничения, модель лавинного пробоя.
Ключевые слова:
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
В статье рассматривается актуальная научно-техническая и практическая проблема оптимизации затрат на подготовку и освоение производства небольших серий микросхем. С этой целью предложены новые формы организации проектирования микросхем и их производства, главным из которых является создание производства нового типа - «Разумное» производство, включающее не только технологический участок, но и дизайн-центр, службу поддержки заказчиков. Приведены конкретные примеры модификации производства и рекомендации по их применению.
Ключевые слова: Мелкосерийное производство, «разумное» производство, унифицированный маршрут производства микросхем, маршрут MLM, маршрут MPW, затраты на подготовку производства, модификация модели производственного маршрута, объединенный заказ.
Ключевые слова:
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
В работе предложена модифицированная модель кремниевого биполярного транзистора, позволяющего учесть частотную зависимость электромагнитных сигналов, распространяющихся в подложке. Необходимость такой модификации появилась в связи с тем, что экспериментальные исследования и моделирование перекрестных помех в системе металлизации на кремниевой подложке показали, что традиционные модели на основе сосредоточенных элементов плохо описывают взаимное влияние сигналов на гигагерцовых частотах. Показано, что основным методом конструктивного проектирования высокочастотных аналоговых схем является разреженное распределение элементов схемы и экранирование высокочастотных цепей. Обеспечение воспроизводимости и стабильности параметров достигается за счет дополнительных устройств коррекции и стабилизации, т.е. осуществляется схемотехническими средствами.
Ключевые слова: биполярные гетероструктурные транзисторы с базой в слое кремний-германий, воздействие ионизирующих излучений на параметры транзисторов; учет влияния подложки при моделировании аналоговых блоков, стабилизация и коррекция параметров аналоговых блоков схемотехническими средствами.
Ключевые слова:
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления