ivdon3@bk.ru
С повышением степени интеграции микросхем повышается и уровень перекрестных помех. Одновременно, возрастают требования к их помехоустойчивости. Повышение амплитуды импульсных сигналов – простой и эффективный метод повышения помехоустойчивости. В статье обсуждается система синхронизации с глобальным распределением низковольтного синхросигнала и локальным повышением амплитуды с использованием драйверов с повышением напряжения. Предложенные технические решения позволяют установить амплитуду синхросигнала индивидуально для каждого функционального блока.
Ключевые слова: синхронизация, помехоустойчивость, драйверы синхросигнала, повышение амплитуды, сокращение числа источников и шин электропитания
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
Условия работы космических аппаратов (КА) на орбите Земли постоянно меняются. Эти изменения связаны с движением КА по орбите, с нестабильностью потока солнечного излучения, с процессами в земной ионосфере. Многие из этих процессов предсказуемы и большинство диагностируется электронной и оптической аппаратурой. Диапазон изменения дестабилизирующих воздействий очень велик. Массогабаритные возможности КА не позволяют обеспечить абсолютную защиту электронных средств от дестабилизирующих воздействий космоса.
Ключевые слова: устройства защиты от электростатических разрядов, помехоустойчивость, электромагнитная совместимость, защита от электростатических разрядов, методы проектирования, иерархия средств защиты
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
Рассматривается практическая апробация использования программного модуля синтеза топологии в сквозном маршруте проектирования микросхем, построенного на базе модулей САПР одной из ведущих фирм, Cadence Design Systems. Совместимость системы с модулями Cadence достигается за счёт использования входных и выходных файлов в общепринятых форматах обмена проектами. Разработанная программная система может использоваться как на этапе трассировки соединений, так и полностью выполнять синтез топологии, решая задачи размещения элементов проекта и прокладки трасс. Разработанный маршрут апробирован на трёх проектах микросхем на основе аналого-цифрового БМК (КМОП-технология на объёмном кремнии с проектными нормами 2,6 мкм) и может быть использован при проектировании цифровых и аналого-цифровых микросхем на основе БМК, выполненных по технологии с одним слоем коммутации. Полученные положительные практические результаты позволяют сделать вывод о корректности разработанных алгоритмов и работы системы в целом.
Ключевые слова: топологический синтез, интегральная схема, маршрут проектирования, задачи размещения и трассировка
05.13.01 - Системный анализ, управление и обработка информации (по отраслям) , 05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
Методами оптической спектрофотометрии и спектрального анализа в диапазоне длин волн 0,2 – 0,87 мкм исследованы центры окраски (ЦО) в кристаллах редкоземельных галлиевых гранатов (РЗГГ) Gd3Ga5O12 (ГГГ), Gd3Sc1,6Ga3,4O12 (ГСГГ) и Nd3Ga5O12 (НГГ), выращенных по методу Чохральского. Впервые обнаружено, что при выдержке объектов исследования в темноте, в кристаллах ГГГ и ГСГГ образуются нестабильные ЦО с максимумами поглощения λmax1 = 0,243 мкм и λmax2 = 0,275 мкм и концентрацией N ~ 1018 см-3. Предполагается, что обнаруженные ЦО соответствуют дырочным центрам O- , связанным с вакансиями галлия V3-Ga3+ в тетраэдрических и октаэдрических узлах кристаллической решетки, соответственно, и образующимся вблизи комплексов [V3-Ga3+ - V2+O2- ]
Ключевые слова: центры окраски, редкоземельные галлиевые гранаты, кристыллы, метод Чохральского, кристаллическая решетка
01.04.10 - Физика полупроводников , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Разработана математическая модель распределения потенциала в приповерхностной области полупроводника при наличии в его запрещенной зоне глубоких энергетических уровней, обусловленных многозарядными примесными центрами. Результаты моделирования могут быть использованы для оценки ширины области пространственного заряда, прогнозирования наиболее вероятного механизма переноса носителей заряда в структуре металл-полупроводник с многозарядными глубокими энергетическими уровнями, а также величины барьерной емкости, что может найти применение при разработке приборов твердотельной электроники с улучшенными значениями отдельных параметров.
Ключевые слова: уравнение Пуассона, многозарядный примесный центр, распределение потенциала, глубокие энергетические уровни
В статье рассматривается актуальная научно-техническая и практическая проблема оптимизации затрат на подготовку и освоение производства небольших серий микросхем. С этой целью предложены новые формы организации проектирования микросхем и их производства, главным из которых является создание производства нового типа - «Разумное» производство, включающее не только технологический участок, но и дизайн-центр, службу поддержки заказчиков. Приведены конкретные примеры модификации производства и рекомендации по их применению.
Ключевые слова: Мелкосерийное производство, «разумное» производство, унифицированный маршрут производства микросхем, маршрут MLM, маршрут MPW, затраты на подготовку производства, модификация модели производственного маршрута, объединенный заказ.
Ключевые слова:
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
Рассматриваются тенденции развития полупроводниковой наноэлектроники в мире в условиях глобализации. Выявлены основные пути развития информационных технологий и возможности снижения неоправданных затрат, прежде всего, через глобальную унификацию технических решений ( например, международная система стандартизации), через создание глобальных альянсов, целью которых является раздел секторов рынка и обмен техническими достижениями и путем разработки национальных программ развития информационных технологий, объединяющих усилия государства и частного сектора. Дан прогноз возможного развития наноэлектронной промыщленности в России.
Ключевые слова: Полупроводниковая микросхема, Производство микросхем, Глобализация, Полупроводниковые наноразмерные приборы, Информационные сети, Разработка микросхем, Средства проектирования.
Ключевые слова:
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
В работе предложена модифицированная модель кремниевого биполярного транзистора, позволяющего учесть частотную зависимость электромагнитных сигналов, распространяющихся в подложке. Необходимость такой модификации появилась в связи с тем, что экспериментальные исследования и моделирование перекрестных помех в системе металлизации на кремниевой подложке показали, что традиционные модели на основе сосредоточенных элементов плохо описывают взаимное влияние сигналов на гигагерцовых частотах. Показано, что основным методом конструктивного проектирования высокочастотных аналоговых схем является разреженное распределение элементов схемы и экранирование высокочастотных цепей. Обеспечение воспроизводимости и стабильности параметров достигается за счет дополнительных устройств коррекции и стабилизации, т.е. осуществляется схемотехническими средствами.
Ключевые слова: биполярные гетероструктурные транзисторы с базой в слое кремний-германий, воздействие ионизирующих излучений на параметры транзисторов; учет влияния подложки при моделировании аналоговых блоков, стабилизация и коррекция параметров аналоговых блоков схемотехническими средствами.
Ключевые слова:
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
Сведения об авторах выпуска №2 за 2012 год
Ключевые слова: авторы